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    样片申请 | 简（jiǎn）体（tǐ）中文
    SLM2009
    200V低压驱动芯片
    样片申（shēn）请
    SLM2009 Datasheet
    产品（pǐn）概述
    产品（pǐn）特（tè）性
    安规认证
    典型应用图
    产品概述

    SLM2009 是一款高（gāo）压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有的高（gāo）压集成（chéng）电路和（hé）锁存免疫（yì）的CMOS技（jì）术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持（chí）3.3V逻（luó）辑。输出驱动器（qì）具有高脉冲电流缓冲级，以减（jiǎn）小驱（qū）动（dòng）器交叉导通。浮动通道可用（yòng）于驱动高边配置的（de）N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达（dá）200V。

    产品特性

    为自举（jǔ）操（cāo）作设计的（de）浮（fú）动通道

    完（wán）全（quán）运行时电压（yā）高达 200V

    容许瞬（shùn）间负电（diàn）压，不受（shòu） dV/dt 影响

    驱动（dòng）电源范围从（cóng） 10V 到 18V

    欠（qiàn）压闭锁

    3.3V、5V 逻辑输入兼容

    驱动电流 ：1A/1.5A

    防止（zhǐ）交叉（chā）导通逻辑

    两（liǎng）通道（dào）间匹配传输延迟

    输（shū）出信号与输入信号同相

    通过（guò）无铅认证（zhèng）

    提（tí）供（gòng） SOP-8 封装（zhuāng）选项

    典（diǎn）型的（de）开（kāi）通/关断延（yán）时：150 ns/150 ns

    死区（qū）时间：110 ns

    安规认证
    典（diǎn）型应用图

    2009.png

    产品参数表

    展开过（guò）滤器
    Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage （Max）（V） Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp（℃） Package Group Packing/QTY
    SLM2009CA-DGIGBT/ MOSFET1/1.520010-18150/15025/1011060-40-125SOP8Reel/4000
    应用案例

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