SLM2110是一款高压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器，它提（tí）供（gòng）独立的高（gāo）边（biān）、低边输出驱动信号。采（cǎi）用专（zhuān）有的高压集成电（diàn）路和锁（suǒ）存免疫CMOS技术，提供可靠的单（dān）芯（xīn）片驱动方案。逻辑输入电平与（yǔ）标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼（jiān）容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器（qì）具有高脉冲电（diàn）流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配（pèi）很方便应用于（yú）高频设备。浮（fú）动通道可用于（yú）驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压（yā）可高（gāo）达600V。
为自举（jǔ）供电（diàn）设计的浮动（dòng）通道（dào）
全电（diàn）压范围运行达600V
允许瞬态负电压，不（bú）受dV/dt影（yǐng）响
驱动电源范围从10V到20V
欠压（yā）闭（bì）锁（suǒ）
3.3V、5V和（hé）15V逻辑兼容（róng）
逻辑地和功率地能承受±5V偏置
防止交叉导通（tōng）逻辑
输入有下拉电阻的（de）COMS斯密（mì）特触发器
逐周期边缘触发（fā）的关闭逻辑
两通道间（jiān）匹（pǐ）配传输延（yán）时
输入输出（chū）同相
典（diǎn）型开通/关断延（yán）时：140ns/140ns
典（diǎn）型（xíng）驱动电流：1A/1.6A
400 080 9938
