SLM21867是（shì）一（yī）款高压、高速（sù）的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动（dòng）器（qì），它提供独立的高边、低边（biān）输出驱动信号。采用专有的高压集成（chéng）电路和锁（suǒ）存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼（jiān）容，最（zuì）低支持3.3V逻辑。输（shū）出驱动器具有高（gāo）脉冲电（diàn）流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导（dǎo）通。延时匹配很方便应用于高（gāo）频（pín）设备。浮动通道（dào）可用于驱动高边配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电（diàn）压可高（gāo）达600V。